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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利一种CMOS图像传感器制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011588663.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种CMOS图像传感器制作方法是由田茂;唐娟;黄晓橹;张舒设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS图像传感器制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS图像传感器制作方法，于具有第一导电类型的衬底上制作第一硬掩模层，并对第一硬掩模层开窗，形成第一宽度的沟槽；在沟槽内制作宽度为第二宽度的第二硬掩模层，第一宽度大于第二宽度，且第二硬掩模层完全位于沟槽内；对第二硬掩模层先掺入具有第二导电类型的杂质而后进行刻蚀工艺，使得第二硬掩模层的宽度即第二宽度变小；重复对第二硬掩模层先掺杂质而后进行刻蚀工艺步骤，直至第二硬掩模层被完全刻蚀，形成具有第二导电类型且掺杂浓度、梯度不同的多个子感光区。制作光电二极管的多浓度梯度的感光区域最多花费两块掩模版，极大地节约了制造成本，且工艺流程简单，适用于工业上的量产化生产。

本发明授权一种CMOS图像传感器制作方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器制作方法，包括： 于具有第一导电类型的衬底上制作第一硬掩模层，并对第一硬掩模层开窗，形成第一宽度的沟槽； 在沟槽内制作宽度为第二宽度的第二硬掩模层，所述第一宽度大于第二宽度，且第二硬掩模层完全位于所述沟槽内，所述第二硬掩模层的中心线与所述沟槽的中心线重合； 在形成第一硬掩模层、与第一硬掩模层间隔第三宽度的第二硬掩模层的衬底上掺入具有第二导电类型的杂质，在衬底表面向衬底内部方向形成具有第一掺杂深度区域的第一子感光区； 刻蚀第二硬掩模层，使其与第一硬掩模层间隔第四宽度，掺入具有第二导电类型的杂质，形成具有不同掺杂浓度、深度区域的第一子感光区、第二子感光区； 刻蚀第二硬掩模层，使其与第一硬掩模层间隔第五宽度，掺入具有第二导电类型的杂质，形成具有不同掺杂浓度、深度区域的第一子感光区、第二子感光区、第三子感光区； 刻蚀第二硬掩模层，使其被完全刻蚀，掺入具有第二导电类型的杂质，形成具有不同掺杂浓度、深度区域的第一子感光区、第二子感光区、第三子感光区、第四子感光区，此时所述第一子感光区被掺杂四次，所述第二子感光区被掺杂三次，所述第三子感光区被掺杂两次，所述第四子感光区被掺杂一次； 制作具有第一导电类型的钉扎层，并去除第一硬掩模层，完成光电二极管感光区的制作。

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