江苏第三代半导体研究院有限公司王国斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210183723.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件是由王国斌;闫其昂设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件。所述制备方法包括：S1、在第一工艺参数下，对N型单晶衬底表面进行清洗和刻蚀，形成第一结构层；S2、在第二工艺参数下，对所述第一结构层进行三维生长，以形成粗糙度为1‑10nm的第二结构层；S3、于所述第二结构层上生长量子阱有源层，使所述量子阱有源层的上表面形成第三结构层；S4、于所述量子阱有源层上生长P型半导体层，并使所述P型半导体层表面平整。本发明中提供的制备方法可在不牺牲晶体质量的前提下实现对量子阱有源层应力的释放，增加In组分的注入效率，同时可增加量子阱的发光面积，提升发光效率，且制备而成的外延结构厚度更薄，适用于超薄光电器件的制备。
本发明授权一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件在权利要求书中公布了：1.一种光电器件外延结构的制备方法，其特征在于，包括： S1、在第一工艺参数下，在氢气和NH3氛围下对N型单晶衬底表面进行清洗，利用NH3的开断进行表面的原位刻蚀，以使所述N型单晶衬底表面形成具有凹凸形貌的第一结构层； S2、在第二工艺参数下，对所述第一结构层进行三维生长，以形成粗糙度为1-10nm的第二结构层，且所述第二结构层的粗糙度大于所述第一结构层的粗糙度； 其中，第一工艺参数至少包括第一温度，第二工艺参数至少包括第二温度，所述第二温度低于所述第一温度； S3、于所述第二结构层上生长量子阱有源层，并使所述量子阱有源层延续第二结构层的生长模式，从而在所述量子阱有源层的上表面形成第三结构层；所述第三结构层的粗糙度不大于所述第二结构层的粗糙度； S4、于所述量子阱有源层上生长P型半导体层，并使所述P型半导体层表面平整。
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