美商新思科技有限公司L·S·梅尔文三世获国家专利权
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龙图腾网获悉美商新思科技有限公司申请的专利在校正光刻掩模中使用掩模制造模型获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072256.7，技术领域涉及：G03F1/70；该发明授权在校正光刻掩模中使用掩模制造模型是由L·S·梅尔文三世;K·J·胡克设计研发完成，并于2020-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本在校正光刻掩模中使用掩模制造模型在说明书摘要公布了：光刻过程通过光刻掩模的设计和光刻配置的描述来描述，其可以包括光刻源、收集照射光学器件、投影光学器件、抗蚀剂和或后续制造步骤。实际的光刻过程使用从掩模设计制造的光刻掩模，该光刻掩模可以与标称掩模设计不同。掩模制造模型对从掩模设计制造光刻掩模的过程进行建模。通常，这是一种电子束e‑beam过程，该过程包括电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用图案化抗蚀剂蚀刻掩模坯。掩模制造模型通常与其他过程模型一起用于估计光刻过程的结果。然后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。
本发明授权在校正光刻掩模中使用掩模制造模型在权利要求书中公布了：1.一种用于校正光刻掩模的方法，包括： 访问与掩模制造过程和光刻过程结合使用的光刻掩模设计，其中所述掩模制造过程从所述光刻掩模设计制造光刻掩模，并且所述光刻过程使用所述光刻掩模在晶片上制造结构； 由处理器估计所述光刻过程的结果，其中所述结果至少包括空间像和经印刷的晶片图案中的一项或多项以及用于所述空间像和所述经印刷的晶片图案中的一项或多项的度量，并且估计所述结果包括： 使用用于所述掩模制造过程的掩模制造模型来估计用于从所述光刻掩模设计制造的所述光刻掩模的经印刷的掩模图案，和 使用通过所述掩模制造模型估计的所述经印刷的掩模图案作为所述光刻过程的一个或多个附加过程模型的输入，来估计所述光刻过程的所述结果；以及 基于所估计的结果，对所述光刻掩模设计应用掩模校正。
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