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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种电容器及其制造方法和DRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011184374.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种电容器及其制造方法和DRAM是由黄元泰;周娜;李俊杰;李琳;王佳设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容器及其制造方法和DRAM在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电容器及其制造方法和DRAM，属于半导体技术领域，解决了现有接触孔的深度加深存在技术限制和宽度扩大会增大存储单元尺寸的问题。方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和多个堆叠结构层，每个堆叠结构层包括模制层和模制层上方的支撑层；对刻蚀停止层和多个堆叠结构层进行刻蚀，以形成多个沟槽；在顶部堆叠结构层中的顶部支撑层和部分顶部模制层上形成顶部保护层；对多个沟槽中顶部堆叠结构层下方的各支撑层和刻蚀停止层的一部分进行回蚀，以使未被保护的各支撑层凹进，形成多个扩散沟槽；以及在多个扩大沟槽中沉积下部电极层。使未被保护的各支撑层凹进而形成扩大沟槽，进而增大相对表面积。

本发明授权一种电容器及其制造方法和DRAM在权利要求书中公布了：1.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括设置在绝缘材料层中并通过所述绝缘材料层间隔开的多个存储节点； 在所述半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和多个堆叠结构层，每个堆叠结构层包括模制层和所述模制层上方的支撑层； 对所述刻蚀停止层和所述多个堆叠结构层进行刻蚀，以形成多个沟槽； 在顶部堆叠结构层中的顶部支撑层和部分顶部模制层上形成顶部保护层，其中，所述顶部保护层的厚度自上而下逐渐减小； 对所述多个沟槽中所述顶部堆叠结构层下方的各支撑层和所述刻蚀停止层的一部分进行回蚀，以使未被保护的各支撑层凹进，形成多个扩大沟槽，对所述多个沟槽中所述顶部堆叠结构层下方的各支撑层和所述刻蚀停止层的一部分进行回蚀，以使未被保护的各支撑层凹进包括：通过磷酸对所述多个沟槽中所述顶部堆叠结构层下方的未被所述顶部保护层覆盖的各支撑层和刻蚀停止层的一部分进行回蚀，直到暴露所述存储节点的整个顶面停止回蚀，使得未被所述顶部保护层保护的各支撑层和所述刻蚀停止层凹进，而保持各模制层未被刻蚀，以形成比所述多个沟槽扩大的多个扩大沟槽，其中，凹进的刻蚀停止层与所述存储节点在垂直方向上对齐；以及 在所述多个扩大沟槽中沉积下部电极层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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