三菱电机株式会社大塚翔瑠获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111163574.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由大塚翔瑠;冈本隼人;中村胜光;田中香次;西康一设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供即使在半导体基板内形成成为寿命抑制要素的晶体缺陷，电气特性也稳定的半导体装置。具有：第1半导体层2，其设置于第1主面1a与n‑型漂移层1之间；第1缓冲层5，其设置在第2主面1b与n‑型漂移层之间，具有氢致施主；第2半导体层3，其设置于第2主面1b与第1缓冲层5之间，第1缓冲层5具有从第2主面1b朝向第1主面1a侧而密度下降的间隙碳与间隙氧之间的复合缺陷。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 第1导电型的漂移层，其设置于具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面的半导体基板； 第2导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的所述第1主面与所述漂移层之间，与所述漂移层相比杂质浓度高； 第1导电型的第1缓冲层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面与所述漂移层之间，具有与所述漂移层相比杂质浓度高的氢致施主；以及 第1导电型或者第2导电型的第2半导体层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面与所述第1缓冲层之间，与所述漂移层相比杂质浓度高， 所述第1缓冲层具有从所述第2主面侧朝向所述第1主面侧而密度下降的间隙碳与间隙氧之间的复合缺陷， 所述第1缓冲层的所述间隙碳与间隙氧之间的复合缺陷的密度大于存在于所述第1缓冲层的间隙碳与晶格位置碳之间的复合缺陷的密度。
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