昭和电工材料株式会社谷口纮平获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工材料株式会社申请的专利支撑片的制造方法、半导体装置的制造方法及支撑片形成用层叠膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114270481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980099180.4，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权支撑片的制造方法、半导体装置的制造方法及支撑片形成用层叠膜是由谷口纮平;桥本慎太郎;矢羽田达也;尾崎义信;板垣圭设计研发完成，并于2019-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本支撑片的制造方法、半导体装置的制造方法及支撑片形成用层叠膜在说明书摘要公布了：公开一种支撑片的制造方法，所述支撑片使用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中，所述具有支石墓结构的半导体装置包括：基板、配置在基板上的第一芯片、配置在基板上且第一芯片的周围的多个支撑片及被多个支撑片支撑且以覆盖第一芯片的方式配置的第二芯片，所述支撑片的制造方法包括：A准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及与基材膜及压敏胶黏层有色差的支撑片形成用膜；B将支撑片形成用膜单片化而在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；及C从压敏胶黏层拾取支撑片的工序。
本发明授权支撑片的制造方法、半导体装置的制造方法及支撑片形成用层叠膜在权利要求书中公布了：1.一种支撑片的制造方法，所述支撑片使用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中，所述具有支石墓结构的半导体装置包括：基板、配置在所述基板上的第一芯片、配置在所述基板上且所述第一芯片的周围的多个支撑片及被所述多个支撑片支撑且以覆盖所述第一芯片的方式配置的第二芯片，所述支撑片的制造方法包括： A准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及与所述基材膜及所述压敏胶黏层有色差的支撑片形成用膜； B将所述支撑片形成用膜单片化而在所述压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；及 C从所述压敏胶黏层拾取所述支撑片的工序， 其中，所述支撑片形成用膜为具有热固性树脂层和与所述基材膜及所述压敏胶黏层有色差的树脂层的多层膜。
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