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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011017177.4，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构及其形成方法是由呼翔设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底、沟道结构、电源轨道线、栅极结构、源漏掺杂区以及层间介质层；形成贯穿位于部分电源轨道线上的层间介质层的导电通孔，包括底部通孔和位于底部通孔上的顶部通孔；在底部通孔中形成与电源轨道线相接触的底部插塞；在底部插塞上形成填充顶部通孔的填充介质层；对层间介质层和填充介质层进行刻蚀，形成贯穿源漏掺杂区顶部的层间介质层的互连槽、以及暴露出顶部通孔；对顶部通孔和互连槽进行填充，形成位于顶部通孔中且与底部插塞相接触的顶部插塞、以及位于互连槽中且与源漏掺杂区相接触的源漏互连层，顶部插塞与底部插塞构成导电插塞。本发明实施例有利于增大形成Via‑BPR的工艺窗口。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，包括器件区和电源轨道区，所述器件区的衬底上形成有分立的沟道结构，所述电源轨道区的衬底中形成有电源轨道线，所述电源轨道线的延伸方向与沟道结构的延伸方向相平行，所述衬底上形成有横跨所述沟道结构的栅极结构，所述栅极结构两侧的沟道结构中形成有源漏掺杂区，所述栅极结构侧部的衬底和电源轨道线上形成有覆盖源漏掺杂区的层间介质层； 形成贯穿位于部分所述电源轨道线上的层间介质层的导电通孔，包括暴露出所述电源轨道线的底部通孔和位于所述底部通孔上的顶部通孔； 在所述底部通孔中形成与所述电源轨道线相接触的底部插塞，所述底部插塞的顶面低于所述层间介质层的顶面； 在所述底部插塞上形成填充所述顶部通孔的填充介质层； 对所述层间介质层和填充介质层进行刻蚀，形成贯穿所述源漏掺杂区顶部的层间介质层的互连槽、以及暴露出所述顶部通孔，沿所述栅极结构的延伸方向，所述互连槽与所述顶部通孔相连通； 对所述顶部通孔和互连槽进行填充，形成位于所述顶部通孔中且与所述底部插塞相接触的顶部插塞、以及位于所述互连槽中且与所述源漏掺杂区相接触的源漏互连层，所述顶部插塞与所述底部插塞用于构成导电插塞。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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