三星电子株式会社郑夛恽获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111431970.3，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权三维半导体存储器件及其制造方法是由郑夛恽;李星勋;尹石重;朴玄睦;申重植;尹永培设计研发完成，并于2017-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了制造三维3D半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成薄层结构；形成第一掩模图案；使用第一掩模图案作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以蚀刻薄层结构；执行减小第一掩模图案的面积的第一修整工艺；交替地且重复地执行第一蚀刻工艺和第一修整工艺以在连接区上形成上结构；形成第二掩模图案；使用第二掩模图案作为蚀刻掩模执行第二蚀刻工艺以蚀刻薄层结构和上结构；执行减小第二掩模图案的面积的第二修整工艺；以及交替地且重复地执行第二蚀刻工艺和第二修整工艺以在上结构下方形成多个中间结构。
本发明授权三维半导体存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造三维半导体存储器件的方法，所述方法包括： 在包括单元阵列区和连接区的基板上形成包括竖直地且交替地层叠的绝缘层和水平层的薄层结构； 形成第一掩模图案，所述第一掩模图案具有暴露所述薄层结构的在所述连接区上的一部分的开口； 使用所述第一掩模图案作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以蚀刻所述薄层结构； 执行减小所述第一掩模图案的面积的第一修整工艺； 交替地且重复地执行所述第一蚀刻工艺和所述第一修整工艺以在所述连接区上形成上结构； 形成第二掩模图案，所述第二掩模图案暴露所述上结构的在所述连接区上的一部分和所述薄层结构的在所述连接区上的下部； 使用所述第二掩模图案作为蚀刻掩模执行第二蚀刻工艺以蚀刻所述薄层结构和所述上结构； 执行减小所述第二掩模图案的面积的第二修整工艺；以及 交替地且重复地执行所述第二蚀刻工艺和所述第二修整工艺以在所述上结构下方形成多个中间结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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