株式会社村田制作所山口阳平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080051528.5，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权半导体装置是由山口阳平;芦峰智行;村濑康裕设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供抑制介电膜的绝缘破坏强度的降低介电膜的耐电压性的劣化的半导体装置。半导体装置具备具有相互对置的第一主面以及第二主面的半导体基板、配置在第一主面的一部分上的介电膜、配置在介电膜的一部分上的第一电极层、以及从第一电极层的端部连续地覆盖到介电膜的第一外周端的保护层。介电膜具有配置有第一电极层的电极层配置部、和被保护层覆盖的保护层覆盖部。介电膜的保护层覆盖部的第一外周端的厚度比介电膜的电极层配置部的厚度小。保护层具有连续地覆盖第一电极层的第二外周端和保护层覆盖部的至少一部分的第一保护层、和配置在第一保护层上的第二保护层。第一保护层具有比第二保护层低的相对介电常数。第二保护层具有比第一保护层高的耐湿性。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 半导体基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面； 介电膜，配置于上述第一主面的一部分上； 第一电极层，配置于上述介电膜的一部分上；以及 保护层，从上述第一电极层的端部连续地覆盖至上述介电膜的第一外周端， 上述介电膜具有配置有上述第一电极层的电极层配置部、和被上述保护层覆盖的保护层覆盖部， 上述介电膜的上述保护层覆盖部的上述第一外周端的厚度比上述介电膜的上述电极层配置部的厚度小， 上述保护层具有第一保护层、和配置在上述第一保护层上的第二保护层，上述第一保护层连续地覆盖上述第一电极层的第二外周端和上述保护层覆盖部的至少一部分， 上述第一保护层具有比上述第二保护层低的相对介电常数， 上述第二保护层具有比上述第一保护层高的耐湿性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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