南亚科技股份有限公司黄庆玲获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110794658.4，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权半导体元件的制备方法是由黄庆玲;蔡镇宇;杨承翰;陈奕儒设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：在一基底中形成一主动区，其中该主动区具有一线性的顶视图形状；在该基底上形成一栅极结构，其中该栅极结构具有与该主动区的一部分相交的一线性部分，其中该部分是远离该主动区的一端部；在该基底上形成一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该第一绝缘层是横向包围该栅极结构，且被该第二绝缘层覆盖；形成一开口，贯穿该第一绝缘层以及该第二绝缘层且曝露该主动区的一部分，其中该开口与该栅极结构横向间隔开；以及在该开口中依序形成一介电层及一电极。
本发明授权半导体元件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，包括： 在一基底中形成一主动区，其中该主动区具有一线性的顶视图形状； 在该基底上形成一栅极结构，其中该栅极结构具有与该主动区的一部分相交的一线性部分，其中该部分是远离该主动区的一端部； 在基底上形成一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该第一绝缘层是横向包围该栅极结构，且被该第二绝缘层覆盖； 形成一开口，贯穿该第一绝缘层以及该第二绝缘层且曝露该主动区的一部分，其中该开口与该栅极结构横向间隔开；以及 在该开口中依序形成一介电层及一电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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