三星电子株式会社朴志云获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储装置和操作存储装置的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114078556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110504878.9,技术领域涉及:G11C29/42;该发明授权存储装置和操作存储装置的方法是由朴志云;崔宰赫设计研发完成,并于2021-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置和操作存储装置的方法在说明书摘要公布了:提供了存储装置和操作存储装置的方法。所述存储装置包括半导体存储器装置和存储控制器。半导体存储器装置基于数据选通信号和数据信号接收写入数据,并且基于数据选通信号和数据信号输出读取数据。存储控制器通过信号线将数据选通信号和数据信号并行地发送到半导体存储器装置。存储控制器包括第一延迟电路,第一延迟电路对数据信号进行延迟,使得信号线上的数据信号的窗口的一些边沿通过彼此不同的第一偏斜偏移被去同步。
本发明授权存储装置和操作存储装置的方法在权利要求书中公布了:1.一种存储装置,包括: 至少一个半导体存储器装置,被配置为基于数据选通信号和多个数据信号接收写入数据,并且被配置为基于数据选通信号和所述多个数据信号输出读取数据;和 存储控制器,被配置为:通过多条信号线将数据选通信号和所述多个数据信号并行地发送到所述至少一个半导体存储器装置, 其中,存储控制器包括第一延迟电路,第一延迟电路被配置为:对所述多个数据信号进行延迟,使得所述多条信号线上的所述多个数据信号的窗口的至少一些边沿通过彼此不同的第一偏斜偏移被去同步, 其中,存储控制器被配置为:将包括第一偏斜偏移的偏斜信息发送到所述至少一个半导体存储器装置, 其中,所述至少一个半导体存储器装置包括第二延迟电路,第二延迟电路被配置为接收偏斜信息,并且被配置为基于偏斜信息通过用于消除第一偏斜偏移的第二偏斜偏移对所述多个数据信号进行延迟,以提供原始数据信号。
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