上海理工大学李慧珺获国家专利权
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龙图腾网获悉上海理工大学申请的专利一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114002295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111451059.9，技术领域涉及：G01N27/327；该发明授权一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法是由李慧珺;何斌;直士博;黄粤夷;郭小瑜;王现英;王丁设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法，包括：该复合结构为聚多巴胺包覆在硅纳米线阵列表面。本发明还公开了上述传感器在光电免疫检测心肌梗死生物标记物‑肌钙蛋白中的应用。硅纳米线阵列具有优异的光电转换性能；聚多巴胺生物相容性好，且表面具有丰富胺基官能团，易修饰。将两种材料结合获得的复合结构。根据本发明，有效降低光电免疫传感器结构复杂程度的同时，提高免疫传感的稳定性和灵敏度，用于检测心肌肌钙蛋白I，灵敏度高，特异性好。
本发明授权一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器，其特征在于，包括： 硅纳米线阵列电极，所述硅纳米线阵列电极包括基底，所述基底上刻蚀硅纳米线阵列，所述基底为硅片； 硅纳米线阵列@PDA电极，所述硅纳米线阵列@PDA电极为在硅纳米线阵列电极的表面原位修饰聚多巴胺薄膜形成； 测试电极，所述测试电极为硅纳米线阵列@PDA电极上固定抗体，所述抗体为心肌肌钙蛋白I抗体分子形成； 其中所述硅纳米线阵列通过分步刻蚀法制备：先用0.08molL硝酸银与10molL氢氟酸按体积比1:1混合的蚀刻液刻蚀1分钟，再用0.6molL双氧水与10molL氢氟酸按体积比1:1混合的蚀刻液刻蚀1小时； 所述传感器对心肌肌钙蛋白I的检测限为2pgmL，在抗体浓度为5pgmL-10ngmL范围内呈线性分布。
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