济南晶正电子科技有限公司李真宇获国家专利权
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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种复合单晶压电基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113541630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010315139.0，技术领域涉及：H10K50/844；该发明授权一种复合单晶压电基板及其制备方法是由李真宇;张涛;朱厚彬;张秀全设计研发完成，并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合单晶压电基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请人提供一种复合单晶压电基板及其制备方法，所述复合单晶压电基板由底至顶依次包括高声阻衬底层1、低声阻层2、缓冲层3和单晶压电层4，其中，所述低声阻层2孔隙率为8×1019～1×1022Hatomscm3，常温下对水的扩散大于3×10‑17cm2s，从而使键合所生成的水能够被所述低声阻层2吸收，或者，沿所述低声阻层2的疏松结构逸出所述复合单晶压电基板，从而减少甚至消除在高声阻衬底层1与低声阻层2之间的界面形成空洞等缺陷，所述方法能够方便地制备获得具有预设结构的复合单晶压电基板。
本发明授权一种复合单晶压电基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合单晶压电基板，其特征在于，所述复合单晶压电基板由底至顶依次包括高声阻衬底层1、低声阻层2、缓冲层3和单晶压电层4，其中，所述低声阻层2在常温下对水的扩散大于3×10-17cm2s；所述低声阻层2具有多孔结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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