世界先进积体电路股份有限公司胡钰豪获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利高压半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010263462.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权高压半导体装置是由胡钰豪;江小玲;江岳竺;黄翊翔设计研发完成，并于2020-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高压半导体装置，包括：衬底；基体区及阱区，位于衬底中且彼此分隔，其中基体区具有第一导电类型且阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；块体区及源极，位于基体区中且彼此分隔，其中块体区具有第一导电类型且源极具有第二导电类型；漏极，位于阱区中；隔离区，位于阱区上且介于漏极与源极之间；栅极结构，位于基体区上且延伸至部分隔离区上；电阻器，位于隔离区上且电连接块体区和漏极或电连接漏极及或源极。
本发明授权高压半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括： 一衬底； 一基体区及一阱区，位于该衬底中且彼此分隔，其中该基体区具有一第一导电类型且该阱区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型； 一块体区及一源极，位于该基体区中且彼此分隔，其中该块体区具有该第一导电类型且该源极具有该第二导电类型； 一漏极，位于该阱区中； 一隔离区，位于该阱区上且介于该漏极与该源极之间； 一栅极结构，位于该基体区上且延伸至部分该隔离区上； 一电阻器，位于该隔离区上且电连接该块体区和该漏极； 至少一导体，设置于该电阻器上； 一绝缘层，设置于该至少一导体与该电阻器之间；以及 多个接触件，设置于该绝缘层中，其中该至少一导体借由所述多个接触件与该电阻器并联。
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