台湾积体电路制造股份有限公司张盟升获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件、存储单元及标准单元布局的创建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010436105.7，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权存储器器件、存储单元及标准单元布局的创建方法是由张盟升;黄家恩;周绍禹;王奕设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件、存储单元及标准单元布局的创建方法在说明书摘要公布了：一种存储器器件包含第一存储单元，第一存储单元具有：第一多晶硅线，与第一读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及第二多晶硅线和第一连续有源区边缘上多晶硅线，与第一编程字线相关联，第二多晶硅线与第二有源区相交且第一连续有源区边缘上多晶硅线与第一有源区相交。存储器器件还包含与第一存储单元相邻的第二存储单元，第二存储单元具有：第三多晶硅线，与第二读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及第四多晶硅线和第二连续有源区边缘上多晶硅线，与第二编程字线相关联，第四多晶硅线与第一有源区相交且第二连续有源区边缘上多晶硅线与第二有源区相交，以形成连续有源区边缘上多晶硅线的交叉布置。
本发明授权存储器器件、存储单元及标准单元布局的创建方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 第一存储单元，包括： 第一多晶硅线，与第一读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及 第二多晶硅线和第一连续有源区边缘上多晶硅线，与第一编程字线相关联，所述第二多晶硅线与所述第二有源区相交且所述第一连续有源区边缘上多晶硅线与所述第一有源区相交；以及 第二存储单元，与所述第一存储单元相邻，所述第二存储单元包括： 第三多晶硅线，与第二读取字线相关联且与所述第一有源区和所述第二有源区相交；以及 第四多晶硅线和第二连续有源区边缘上多晶硅线，与第二编程字线相关联，所述第四多晶硅线与所述第一有源区相交且所述第二连续有源区边缘上多晶硅线与所述第二有源区相交，以形成连续有源区边缘上多晶硅线的交叉布置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励