半导体元件工业有限责任公司曹圭宪获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利具有分级沟道的功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011149950.2，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权具有分级沟道的功率器件是由曹圭宪;李峯龙;朴庆锡;崔杜溱;T·内耶尔;J·J·维克托设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有分级沟道的功率器件在说明书摘要公布了：本发明题为“具有分级沟道的功率器件”。本发明公开了一种功率器件，该功率器件包括碳化硅衬底。栅极设置在该碳化硅衬底的第一侧上。分级沟道包括具有第一掺杂物浓度的第一区域和具有第二掺杂物浓度的第二区域，该第二掺杂物浓度大于该第一掺杂物浓度。
本发明授权具有分级沟道的功率器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括： 碳化硅衬底； 第一导电性的漂移层，所述漂移层设置在所述碳化硅衬底的第一侧之上； 栅极，所述栅极设置在所述漂移层之上；和 逆行阱，所述逆行阱具有靠近所述逆行阱的上表面的第二导电性的轻掺杂区域以及设置在所述轻掺杂区域之下的第二导电性的重掺杂区域，其中所述第一导电性的类型与所述第二导电性的类型不同； 第二导电性的囊区，所述囊区设置在所述逆行阱内，并从与所述逆行阱的上表面相邻竖直延伸直到所述重掺杂区域；以及 分级沟道，所述分级沟道由所述囊区和所述逆行阱的轻掺杂区域限定，并包括具有第一掺杂物浓度的第一区域和具有第二掺杂物浓度的第二区域，所述第二掺杂物浓度大于所述第一掺杂物浓度， 其中所述分级沟道的所述第一区域包括所述逆行阱的轻掺杂区域的至少一部分，并且所述分级沟道的所述第二区域包括所述囊区。
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