三星电子株式会社都桢湖获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直场效应晶体管半导体单元的优化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112614837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011046828.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权垂直场效应晶体管半导体单元的优化是由都桢湖设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直场效应晶体管半导体单元的优化在说明书摘要公布了：一种在多个栅极栅格上实施垂直场效应晶体管VFET电路的VFET单元，包括：第一电路，包括至少一个VFET，并被提供在至少一个栅极栅格上；以及第二电路，包括至少一个VFET，并被提供在形成于第一电路的左侧或右侧的至少一个栅极栅格上，其中第一电路的VFET的栅极被配置为共享第二电路的VFET的栅极信号或源极漏极信号，并且第一电路是X‑1接触式多晶间距CPP电路，其为X‑1CPP宽，是从X‑CPP电路转换而来的，X‑CPP电路为X‑CPP宽并且执行与X‑1CPP电路相同的逻辑功能，X是大于1的整数。
本发明授权垂直场效应晶体管半导体单元的优化在权利要求书中公布了：1.一种在多个栅极栅格上实施垂直场效应晶体管VFET电路的VFET单元，所述VFET单元包括： 第一电路，包括至少一个VFET，并被提供在至少一个栅极栅格上；以及 第二电路，包括至少一个VFET，并被提供在形成于第一电路的左侧或右侧的至少一个栅极栅格上， 其中，设置在栅极栅格中的第一栅极栅格上的第一电路的VFET的栅极或源极漏极被配置为共享输入到设置在栅极栅格中的第二栅极栅格上的第二电路的VFET的栅极或源极漏极的栅极信号或源极漏极信号，并且 其中，第一栅极栅格和第二栅极栅格在栅极栅格中彼此相邻设置，并且第一栅极栅格和第二栅极栅格中的每一个由一个p沟道金属氧化物半导体PMOSVFET和一个n沟道金属氧化物半导体NMOSVFET形成， 其中第一电路和第二电路均为被配置为执行逻辑功能的逻辑电路。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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