三星电子株式会社李智惠获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010379007.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由李智惠;金彦起;徐东灿设计研发完成，并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：描述了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；有源区，所述有源区从所述衬底突出并在第一方向上延伸；多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述有源区上，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上彼此间隔开；隔离膜，所述隔离膜设置在所述多个沟道层中的最下面的沟道层与所述有源区之间；栅电极，所述栅电极围绕所述多个沟道层并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和源极漏极区，所述源极漏极区设置在所述栅电极的至少一侧并连接到所述多个沟道层中的每个沟道层。所述隔离膜设置在比所述源极漏极区的底表面高的水平高度。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 衬底； 有源区，所述有源区从所述衬底突出并在第一方向上延伸； 多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述有源区上，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上彼此间隔开； 隔离膜，所述隔离膜设置在所述多个沟道层中的最下面的沟道层与所述有源区之间，并且包括半导体区域； 栅电极，所述栅电极围绕所述多个沟道层并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和 源极漏极区，所述源极漏极区设置在所述栅电极的至少一侧并连接到所述多个沟道层中的每个沟道层， 其中，所述隔离膜设置在比所述源极漏极区的底表面高的水平高度， 其中，所述隔离膜的所述半导体区域包括Ge的含量为35%或更高的SiGe，并且 其中，所述多个沟道层中的每个沟道层包含与所述隔离膜的所述半导体区域的半导体材料不同的半导体材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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