中科同德微电子科技(大同)有限公司王佳恒获国家专利权
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龙图腾网获悉中科同德微电子科技(大同)有限公司申请的专利一种基于陶瓷基板的BMS MOSFET模块封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957967U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520154075.9，技术领域涉及：H10W70/652；该实用新型一种基于陶瓷基板的BMS MOSFET模块封装结构是由王佳恒;张伟;司少杰;刘俊峰设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于陶瓷基板的BMS MOSFET模块封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于陶瓷基板的BMSMOSFET模块封装结构。本方案采用陶瓷基板取代PCB板，陶瓷基板热导率高且绝缘性好。芯片通过焊膏直接焊接在陶瓷基板铜层上，避免了黑胶的不良影响，并在芯片上方设置金属铜片，增加散热路径实现双面散热。同时，对端子连接及各部件间散热间隙进行优化设计且填充导热凝胶，有效提升散热效率，确保模块稳定运行，延长使用寿命，满足电子设备高效散热需求。
本实用新型一种基于陶瓷基板的BMS MOSFET模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于陶瓷基板的BMSMOSFET模块封装结构，包括散热底板10以及设于所述散热底板10上的导热凝胶27，其特征在于， 从所述散热底板10到所述导热凝胶27的方向，所述散热底板10上还依次设有第一焊层13、第一下铜层14、陶瓷基板15，所述陶瓷基板15上设有第二上铜层16与第三上铜层22； 沿所述散热底板10到所述第二上铜层16的方向，所述第二上铜层16上依次设有第三焊层18、第一MOSFET芯片19、第四焊层20及金属铜片21，所述第三上铜层22上依次设有第五焊层23、第二MOSFET芯片24及第六焊层25；所述第四焊层20的一端连接于所述第一MOSFET芯片19，所述第四焊层20的另一端连接于所述金属铜片21，所述第六焊层25的一端连接于所述第二MOSFET芯片24，所述第六焊层25的另一端也连接于所述金属铜片21； 所述散热底板10上还设有第一端子11与第二端子12。
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