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龙图腾网获悉华东科技股份有限公司申请的专利半导体存储器封装单元的改良结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957966U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423166580.X，技术领域涉及：H10W70/652；该实用新型半导体存储器封装单元的改良结构是由于鸿祺;林俊荣;古瑞庭设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器封装单元的改良结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种半导体存储器封装单元的改良结构，该半导体存储器封装单元包含一芯片封装、多个第一连接体及一基板，该芯片封装包含一重布线层，该重布线层具有一介电层及多条导接线路，且各导接线路是与该芯片封装的芯片的多个晶垫电性连接，通过该重布线层来改善该芯片封装上多个晶垫的布局空间，再模塑封装成型该半导体存储器封装单元，以此调整各导接线路对外连接处的布局，使得制造端容易布局线路而降低制作成本，并避免线路过于密集而产生良率下降的问题，以利于提升产品的市场竞争力。

本实用新型半导体存储器封装单元的改良结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器封装单元的改良结构，其特征在于，该半导体存储器封装单元包含一芯片封装、多个第一连接体及一基板，该芯片封装是通过该多个第一连接体与该基板组成该半导体存储器封装单元；其中该芯片封装包含一芯片及一绝缘层；其中该芯片具有一第一表面，该第一表面上具有多个晶垫；其中该绝缘层是位于该芯片上并包覆住该芯片，该绝缘层具有一第一表面及多个第一开口，每一该第一开口能够供该芯片的该多个晶垫对外电性连接；其中每一该第一连接体的一部分是设在该绝缘层的该多个第一开口内，且每一该第一连接体是与该芯片的每一该晶垫电性连接；其中该基板位于该绝缘层的该第一表面及每一该第一连接体上，该基板具有一第一表面及相对的一第二表面，该基板的该第一表面处具有一第一外护层，该基板的该第二表面处具有一第二外护层；其中该第一外护层上具有多个第二开口，每一该第二开口内设有一第一线路，每一该第一线路是供对外电性连接；其中该第二外护层上具有多个第三开口，每一该第三开口内具有一第二线路：其中每一该第一连接体的一部分是设在每一该第三开口内，且每一该第一连接体是与每一该第二线路电性连接；其中在每一该第一线路及每一该第二线路之间具有一导电柱，每一该导电柱是与每一该第一线路及每一该第二线路电性连接；其特征在于： 该半导体存储器封装单元进一步具有由利用重布线层技艺所成型的一重布线层，该重布线层是设于该芯片与该绝缘层之间并被该绝缘层包覆，该重布线层具有一介电层及多条导接线路； 其中该介电层具有一第一表面，该介电层的该第一表面是对应地设于该芯片的该第一表面上，该介电层具有多条凹槽，每一该凹槽能够供该芯片的该多个晶垫对外露出； 其中每一该导接线路是设于该多条凹槽内，且每一该导接线路是与该多个晶垫电性连接；其中每一该导接线路为金属材质； 其中该半导体存储器封装单元的该芯片是依序经由每一该晶垫、每一该导接线路、每一该第一连接体、每一该第二线路、每一该导电柱及每一该第一线路以对外电性连接。

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