江苏芯德半导体科技股份有限公司张中获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957963U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423158689.9，技术领域涉及：H10W42/20；该实用新型一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装芯片结构是由张中;谢雨龙;王晓平;赵玥;杨稳定设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装芯片结构在说明书摘要公布了：本发明的一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装芯片结构，采用由多层金属堆叠构成的屏蔽环和在芯片背面粘合金属屏蔽层相结合的方式，实现电磁屏蔽功能。堆叠的金属层和金属屏蔽层可选用不同材料，以达到在不同电磁环境下均能起到屏蔽效果的目的，屏蔽效果好。本发明的一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装芯片结构，其结构简单，通过使用将屏蔽材料埋入封装材料的方式，不会增大封装体积，有利于封装的集成化，小型化；有效解决当前电磁屏蔽组件无法与晶圆级封装很好结合的问题，尤其是解决了当前具有电磁屏蔽功能的封装结构在复杂电磁场环境下屏蔽效果不佳的问题，具有很强的实用性和广泛地适用性。
本实用新型一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装芯片结构，其特征在于，包括环芯片封装的屏蔽环和封装于芯片背面的屏蔽层； 所述屏蔽环的截面呈矩形； 所述屏蔽环包括依次叠覆的第一环层、第二环层和第三环层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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