合肥晶合集成电路股份有限公司丁峰获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体测试结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957957U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520502731.X，技术领域涉及：H10P74/00；该实用新型半导体测试结构是由丁峰;汪小小;李响;王娟设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体测试结构，包括衬底、沿平行于衬底表面方向相邻设置的第一测试区域和第二测试区域，所述第一测试区域内设置有相互隔离的第一掺杂区和第二掺杂区，且第一掺杂区和第二掺杂区自所述第一测试区域延伸至所述第二测试区域内，衬底内还设置有第三掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区的朝向衬底表面的投影均落入第三掺杂区朝向衬底表面的投影合围而成的区域内；栅极，间隔设置于所述衬底上，所述栅极朝向所述衬底方向的栅极投影落入所述第一测试区域内，且所述栅极投影同时覆盖部分所述第一掺杂区、部分所述第二掺杂区和部分所述第三掺杂区。本申请实现了半导体器件的不同制备流程的监控，有效减小了半导体测试结构的尺寸。
本实用新型半导体测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 衬底，包括沿平行于所述衬底的表面方向相邻设置的第一测试区域和第二测试区域，所述第一测试区域内设置有相互隔离的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区自所述第一测试区域延伸至所述第二测试区域内，所述第一测试区域和所述第二测试区域内还设置有第三掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的朝向所述衬底的表面的投影均落入所述第三掺杂区朝向所述衬底的表面的投影合围而成的区域内； 栅极，间隔设置于所述衬底的上方，所述栅极朝向所述衬底方向的栅极投影落入所述第一测试区域内且所述栅极投影同时覆盖部分所述第一掺杂区、部分所述第二掺杂区和部分所述第三掺杂区。
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