北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所廖龙忠获国家专利权
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龙图腾网获悉北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利基于相变原理的忆阻器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957921U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520526970.9，技术领域涉及：H10N70/20；该实用新型基于相变原理的忆阻器是由廖龙忠;李卉;陈卓;侯俊杰;周国;刘相伍设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于相变原理的忆阻器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种基于相变原理的忆阻器，属于微电子技术领域，包括由下至上层叠分布的衬底、隔离层、加热层、导热层、相变层和保护层，还包括围设于所述相变层外的射频传输层和设于所述加热层外的平坦化层，所述平坦化层在上下方向贴合于所述导热层和所述隔离层，所述射频传输层在上下方向贴合于所述导热层和所述保护层，所述射频传输层具有压点位，所述压点位用于与外部器件电连接，所述保护层开设有对应于所述压点位的避让孔，所述避让孔使所述压点位暴露于外部。本实用新型提供的基于相变原理的忆阻器，旨在解决现有技术中加热器导致相变材料的高度出现起伏，造成忆阻器使用寿命减少的问题。
本实用新型基于相变原理的忆阻器在权利要求书中公布了：1.基于相变原理的忆阻器，其特征在于，包括由下至上层叠分布的衬底、隔离层、加热层、导热层、相变层和保护层，还包括围设于所述相变层外的射频传输层和设于所述加热层外的平坦化层，所述平坦化层在上下方向贴合于所述导热层和所述隔离层，所述射频传输层在上下方向贴合于所述导热层和所述保护层，所述射频传输层具有压点位，所述压点位用于与外部器件电连接，所述保护层开设有对应于所述压点位的避让孔，所述避让孔使所述压点位暴露于外部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所，其通讯地址为：101300 北京市顺义区高丽营镇文化营村北(临空二路1号)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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