台湾积体电路制造股份有限公司高魁佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957886U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520420718.X，技术领域涉及：H10D84/82；该实用新型半导体装置结构是由高魁佑;苏东盛;林士尧;林骏宇;张詠琪;张铭庆设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：本揭示内容的实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包括设置在基板上的第一与第二源极漏极区域，以及设置在第一与第二源极漏极区域之间的隔离区域。隔离区域包括具有倾斜部分及平坦部分的第一顶表面，且位于第一顶表面的倾斜部分与由第一顶表面的平坦部分界定的平面之间的隔离区域的一部分具有宽度及高度。该宽度大于该高度。半导体装置结构进一步包括邻近第一与第二源极漏极区域设置的多个半导体层、围绕半导体层中的每一者的一部分的栅电极层及设置在栅电极层与第一源极漏极区域之间的间隔物。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包含： 一第一源极漏极区域与一第二源极漏极区域，设置在一基板上； 一隔离区域，设置在该第一源极漏极区域与该第二源极漏极区域之间，其中该隔离区域包括具有一倾斜部分及一平坦部分的一第一顶表面，且位于该第一顶表面的该倾斜部分与由该第一顶表面的该平坦部分界定的一平面之间的该隔离区域的一部分具有一宽度及一高度，其中该宽度大于该高度； 多个半导体层，邻近该第一源极漏极区域与该第二源极漏极区域设置； 一栅电极层，围绕所述多个半导体层中的每一者的一部分；及 一间隔物，设置在该栅电极层与该第一源极漏极区域之间。
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