青岛云联智享信息技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛云联智享信息技术有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957885U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520629987.7，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体器件是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体器件，包括：衬底；体区，从衬底顶面延伸至衬底内；栅极结构，位于体区顶面；源极区和漏极区，分别位于栅极结构两侧的体区中，源极区和漏极区的掺杂类型与体区的掺杂类型相反；第一体接触区和第二体接触区，分别相应的位于源极区和漏极区远离栅极结构一侧的体区中，源极区与第一体接触区接触，漏极区与第二体接触区之间形成有第一浅沟槽隔离结构，第一体接触区和第二体接触区的掺杂类型与体区的掺杂类型相同。本实用新型使得在保证隔离能力的同时，减小了半导体器件的面积。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 体区，从所述衬底顶面延伸至所述衬底内； 栅极结构，位于所述体区顶面； 源极区和漏极区，分别位于所述栅极结构两侧的所述体区中，所述源极区和所述漏极区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反； 第一体接触区和第二体接触区，分别相应的位于所述源极区和所述漏极区远离所述栅极结构一侧的所述体区中，所述源极区与所述第一体接触区接触，所述漏极区与所述第二体接触区之间形成有第一浅沟槽隔离结构，所述第一体接触区和所述第二体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛云联智享信息技术有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市中国(山东)自由贸易试验区青岛片区团结路2518号中日韩消费专区5号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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