北京宁海芯科集成电路设计有限公司;国科大杭州高等研究院;浙江海科电子科技有限公司苏越获国家专利权
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龙图腾网获悉北京宁海芯科集成电路设计有限公司;国科大杭州高等研究院;浙江海科电子科技有限公司申请的专利集成温度传感器的半导体器件以及集成温度传感器的半导体器件阵列获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957884U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423185337.2，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型集成温度传感器的半导体器件以及集成温度传感器的半导体器件阵列是由苏越;桂赟;常育宽;宋仁豪设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成温度传感器的半导体器件以及集成温度传感器的半导体器件阵列在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种集成温度传感器的半导体器件以及集成温度传感器的半导体器件阵列，由下至上依次是N++衬底层、N‑‑漂移层、P型基区、P++源区、N++源区、栅氧层、多晶硅层、电极层、钝化层、氮化硅层、栅电极层、栅介质层、源电极层、漏电极层、激光光丝标刻烧蚀的MXene导电通道以及氮化硅防护层。阵列式温度传感器直接集成在VDMOS器件表面，能够实时、准确地反映器件的工作温度，避免了外部温度传感器因位置偏差或热传导延迟带来的误差，且无需额外的温度传感器组件和连接电路，降低了制造成本和复杂度。
本实用新型集成温度传感器的半导体器件以及集成温度传感器的半导体器件阵列在权利要求书中公布了：1.一种集成温度传感器的半导体器件，包括： 半导体器件基底； 温度传感器，直接位于所述半导体器件基底上并且所述温度传感器具有掩埋式场效应晶体管结构，其中，所述掩埋式场效应晶体管结构包括： 隔离层，直接位于所述半导体器件基底上； 栅电极，位于所述隔离层上； 栅介质层，位于所述栅电极层上； 源电极和漏电极，位于所述栅介质层上，其中所述栅电极在所述半导体器件基底上的投影位于所述源电极在所述半导体器件基底上的投影和所述漏电极在所述半导体器件基底上的投影中间； 温敏材料层，位于所述栅介质层、所述源电极和所述漏电极上；以及 防护层，位于导电层上。
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