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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利电子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957882U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422835858.1，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型电子装置是由V·埃内亚设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子装置在说明书摘要公布了：本公开涉及电子装置。本公开涉及可变沟槽维度区域的形成，包括在顶部平面视图中以条状方式延伸的多个沟槽。较大的沟槽容纳源极多晶场板接触件和多晶栅极区域两者。所有沟槽彼此间隔开恒定的量，以维持预期的场板效应并避免对击穿电压的影响。为了恢复由此产生的较大节距维度，较大节距维度周围的沟槽被形成为较小并且从内沟槽到外沟槽维度减小。这些单元的节距的总和将等同于相同数量的标准单元的节距的总和。以这种方式，对电气性能和效率的影响被限制或甚至避免。

本实用新型电子装置在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，其特征在于，包括： 半导体主体，该半导体主体具有沿着第一轴彼此相对的第一侧和第二侧； 多个沟槽，在所述半导体主体内从所述第一侧朝着所述第二侧延伸并且终止于所述半导体主体内，所述沟槽中的每个沟槽具有沿着与顶侧平行并且与所述第一轴正交的第二轴的第二延伸方向以及沿着与所述顶侧平行并且与所述第一轴和所述第二轴正交的第三轴的第三延伸方向； 所述沟槽中的每个沟槽中的栅极绝缘区域，所述栅极绝缘区域覆盖所述沟槽中的每个沟槽的底部和横向壁； 在所述栅极绝缘区域上在所述沟槽中的每个沟槽中的栅极导电区域，所述栅极导电区域通过所述栅极绝缘区域与所述半导体主体电绝缘； 所述沟槽中的每个沟槽中的源极场板区域，所述源极场板区域通过所述栅极绝缘区域与所述栅极导电区域和所述半导体主体电绝缘， 其中，所述电子装置还包括： 绝缘材料制成的突起，所述突起从所述多个沟槽中的至少第一沟槽突出， 通过孔，朝着所述源极场板区域延伸通过所述突起，到达所述源极场板区域； 位于所述通过孔内的导电接触件，电耦合到所述源极场板区域， 其中，所述第一沟槽沿着所述第三轴具有可变维度，包括与所述通过孔对应的第一维度和距所述通过孔一定距离的第二维度，该距离沿着所述第二轴，所述第一维度高于所述第二维度； 其中，所述多个沟槽当中横向于所述第一沟槽延伸并且直接面对所述第一沟槽的至少第二沟槽沿着所述第三轴具有相应的可变维度，包括在所述第二沟槽面对所述第一沟槽的具有所述第一维度的部分处的第三维度以及在所述第二沟槽面对所述第一沟槽的具有所述第二维度的部分处的所述第二维度，所述第三维度低于所述第二维度；以及 其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽在面对的部分处彼此间隔开恒定的量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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