Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 意法半导体国际公司T·欧黑克斯获国家专利权

意法半导体国际公司T·欧黑克斯获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利电子设备和包括电子设备的系统获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223957881U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520283783.2,技术领域涉及:H10D30/47;该实用新型电子设备和包括电子设备的系统是由T·欧黑克斯;A·康斯坦特设计研发完成,并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

电子设备和包括电子设备的系统在说明书摘要公布了:提供了一种包括基于半导体的功率晶体管的电子设备和包括电子设备的系统。示例性电子设备包括晶体管。晶体管包括:p掺杂半导体第一层;压电半导体第二层,覆盖第一层;压电半导体第三层,覆盖第二层;压电半导体第四层,覆盖第三层;和压电半导体第五层,覆盖第四层,晶体管被配置为在第四和第五层之间产生第一二维电子气体;和栅极图案,交叉穿过第四层的至少一部分和第五层。

本实用新型电子设备和包括电子设备的系统在权利要求书中公布了:1.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括晶体管,所述晶体管包括: p掺杂半导体第一层; 压电半导体第二层,覆盖p掺杂半导体第一层; 压电半导体第三层,覆盖压电半导体第二层; 压电半导体第四层,覆盖压电半导体第三层; 压电半导体第五层,覆盖压电半导体第四层,晶体管被配置为在压电半导体第四层和压电半导体第五层之间产生第一二维电子气体;和 栅极图案,交叉穿过压电半导体第四层的至少一部分和压电半导体第五层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司,其通讯地址为:瑞士;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。