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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种光谱偏振编码超表面器件及其逆向设计优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121410868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512019479.4，技术领域涉及：G02B5/30；该发明授权一种光谱偏振编码超表面器件及其逆向设计优化方法是由史浩东;龚晨杰;张健;潘越;孙洪宇;李冠霖;付强;张少文;李英超设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光谱偏振编码超表面器件及其逆向设计优化方法在说明书摘要公布了：一种光谱偏振编码超表面器件及其逆向设计优化方法，涉及光谱偏振成像领域，缓解了现有光谱偏振编码超表面设计技术存在计算成本高和设计效率低的问题。一种光谱偏振编码超表面器件，采用结构单元A和结构单元B，这两种结构分别采用双分裂环和L型+分裂环结构。一种光谱偏振编码超表面器件的逆向设计优化方法，采用前向网络和逆向网络结合，逆向网络用于对初始结构参数和相关系数进行协同优化，将获得的优化后的四组结构参数发送给前向网络模块；前向网络用于将结构参数进行预测，获得初始结构参数分别和四个优化后的输出结构参数的相关系数和光谱响应结果作为逆向设计优化结果。本发明所述的方法适用于光谱偏振编码超表面及其设计方法领域。

本发明授权一种光谱偏振编码超表面器件及其逆向设计优化方法在权利要求书中公布了：1.一种光谱偏振编码超表面器件，其特征在于，所述超表面器件由多个超表面结构单元排列成阵列结构，所述超表面结构单元包括结构单元A和结构单元B；所述结构单元A和结构单元B均为双原子纳米柱结构；所述结构单元A和结构单元B从上至下依次包括介质层和衬底层； 所述结构单元A包括两个截面为分裂环的原子纳米柱A1和原子纳米柱A2；所述原子纳米柱A1的形状为分裂环，几何尺寸参数包括开口角θ1、旋转角θ2、外半径r1和内半径r2；所述原子纳米柱A2的形状为分裂环，几何尺寸参数包括开口角θ3、旋转角θ4、外半径r3和内半径r4； 所述结构单元B包括一个截面为L型的原子纳米柱B1和一个截面为分裂环的原子纳米柱B2； 所述原子纳米柱B1的形状为直角形，几何尺寸参数包括水平长度L1和L3，垂直长度L2和L4；所述原子纳米柱B2的形状为分裂环，几何尺寸参数包括开口角θ5、旋转角θ6、外半径r5和内半径r6； 结构单元A和结构单元B均通过面内对称性的破缺来调控其光学响应。

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