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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利低温CMOS载流子MFP及微观参数提取方法与系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121410490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512001160.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权低温CMOS载流子MFP及微观参数提取方法与系统是由王进红;谭傲;汪骋;陈高昊;胡雪野设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温CMOS载流子MFP及微观参数提取方法与系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温CMOS载流子MFP及微观参数提取方法与系统，它们是相对应的方案，方案中：利用准弹道输运的几何缩放规律，与已有的有效迁移率提取技术，构建了消除微观未知量的载流子MFP提取模型，并且基于宏观的电流与电压数据随沟道长度变化的自洽性，无需预知有效质量、费米速度、散射时间的基础上，从而保证通过载流子MFP提取模型提取出的MFP是纯净的实验观测值；同时，在此基础上，对微观参数进行解耦，从而逐个提取出解耦后的微观参数；相较于现有方案而言，本发明能够直接应用于工业界标准的晶圆级测试台，能够快速统计成百上千个器件的MFP分布，为低温工艺监控提供了可行的工程化方案。

本发明授权低温CMOS载流子MFP及微观参数提取方法与系统在权利要求书中公布了：1.一种低温CMOS载流子MFP及微观参数提取方法，其特征在于，包括： 基于准弹道输运模型与有效迁移率提取技术，构建消除微观未知量的载流子MFP提取模型，表示为：；其中，基于有效迁移率提取技术获得强场散射项与弱场散射项，为强场散射项；为基值系数，为长度调制系数，B为幂指数，、及B为载流子MFP提取模型中的拟合参数，且它们均为利用弱场散射项获得的参数，为有效栅过驱动电压；为载流子MFP，MFP为平均自由程； 在低于设定温度的温区，测量一组具有不同沟道长度的CMOS器件，从测量获得的电流与电压数据中提取出有效栅过驱动电压；其中，CMOS为互补金属氧化物半导体； 基于有效栅过驱动电压，构建电阻模型对有效迁移率进行解耦，求解出载流子MFP提取模型中的拟合参数； 将求解出的拟合参数与有效栅过驱动电压带入载流子MFP提取模型，获得随有效栅过驱动电压变化的载流子MFP； 基于所述随有效栅过驱动电压变化的载流子MFP以及测量获得的电流数据对微观参数进行解耦，并逐个提取出解耦后的微观参数。

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