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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121395055B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511959179.8，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法是由冯源;贾慧民;郭丽君;魏志鹏;晏长岭;唐吉龙;张贺;李洋设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法在说明书摘要公布了：一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法，属于半导体激光器技术领域，尤其涉及一种高功率低发散角近红外波段的半导体激光器；解决了现有技术所存在的因制备工艺局限，难以在单一器件上同时实现高输出功率、低发散角光束输出并有效抑制腔面灾变性光学损伤COD，从而制约激光器性能与可靠性的问题；所述方法包括形成外延片、淀积二氧化硅薄膜定义功能区等步骤。所述的一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法，适用于在光纤激光器泵浦源、激光雷达、空间光通信以及激光加工等领域，对制备高亮度、高可靠性、小型化近红外半导体激光器芯片具有重要价值。

本发明授权一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤S1：提供n型InP衬底5，并在所述n型InP衬底5上依次外延生长n型Si掺杂InP缓冲层6、n型Si掺杂AlInAs渐变下限制层7、非掺杂AlGaInAs下波导层8、应变AlGaInAs量子阱有源区9、非掺杂AlGaInAs上波导层10、p型Zn掺杂AlInAs渐变上限制层11、p型Zn掺杂InP层12、p型Zn掺杂GaInAsP湿法刻蚀停止层13、p型Zn掺杂InP层14、p型Zn掺杂GaInAsP层15、p型Zn重掺杂GaInAs电极接触层16和p型Zn掺杂InP保护层17，形成外延片； 步骤S2：通过一系列光刻、刻蚀及介质膜沉积工艺，在所述外延片上形成包含沿激光传播方向依次排列的激光增益区1、锥形波导区2、分段波导区3和V型槽结构光纤耦合区4的脊形波导结构，获得激光器芯片； 所述锥形波导区2位于激光增益区1之后，与激光增益区1相连接，其横向宽度沿激光传播方向逐渐变宽，构成锥形波导，用于实现对激光增益区1传输激光的多模到低阶模渐进式模式转换； 通过控制分段波导区3的电流注入，使其工作在透明或弱增益状态，减少输出端面的光吸收和相应的热积累。

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