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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种高功率低发散角近红外半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121395054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511959178.3，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种高功率低发散角近红外半导体激光器是由冯源;杨静航;耿玮辰;贾慧民;晏长岭;魏志鹏;张贺;唐吉龙;郭丽君设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率低发散角近红外半导体激光器在说明书摘要公布了：一种高功率低发散角近红外半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，尤其涉及一种高功率低发散角近红外波段的半导体激光器；解决了现有技术所存在的无法在高功率输出下同时获得低发散角和高光束质量，以及因腔面热积累导致的光学灾变损伤COD和可靠性下降的问题；所述激光器包括沿激光传播方向依次单片集成的激光增益区、锥形波导区、分段波导区和V型槽结构光纤耦合区。所述的一种高功率低发散角近红外半导体激光器，适用于对输出功率、光束质量及系统集成度有较高要求的应用场景，例如光纤激光器泵浦源、激光加工、激光雷达以及空间光通信等领域。

本发明授权一种高功率低发散角近红外半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种高功率低发散角近红外半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括：沿激光传播方向依次单片集成的激光增益区1、锥形波导区2、分段波导区3和V型槽结构光纤耦合区4； 所述激光器从衬底至上依次包括以下半导体材料层： n型InP衬底5； n型Si掺杂InP缓冲层6； n型Si掺杂AlInAs渐变下限制层7； 非掺杂AlGaInAs下波导层8； 应变AlGaInAs量子阱有源区9； 非掺杂AlGaInAs上波导层10； p型Zn掺杂AlInAs渐变上限制层11； p型Zn掺杂InP层12； p型Zn掺杂GaInAsP湿法刻蚀停止层13； p型Zn掺杂InP层14； p型Zn掺杂GaInAsP层15； p型Zn重掺杂GaInAs电极接触层16； p型Zn掺杂InP保护层17； 所述锥形波导区2的横向宽度沿激光传播方向单调递增，用于将激光从多模场渐进转换为低阶模； 所述分段波导区3的脊波导结构单元在电流注入下工作于透明或弱增益状态，用于降低输出端面光吸收损耗和热积累。

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