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龙图腾网获悉龙迅半导体(合肥)股份有限公司申请的专利高电源电压抑制比的带隙基准源、集成电路和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121387007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511953225.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权高电源电压抑制比的带隙基准源、集成电路和电子设备是由居子键;季翔宇;谢恩明;朱云峰设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本高电源电压抑制比的带隙基准源、集成电路和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种高电源电压抑制比的带隙基准源、集成电路和电子设备，涉及集成电路技术领域，基准源的第一级运放单元包括第一、二场效应管、输入对管、第一电阻、第一、二节点，第二级运放单元实现第一节点和第二节点电位相等，输入对管包括第一、二三极管。输出部分包括输出对管、第二电阻、第三、四节点，输出对管包括第三、四三极管，第三节点和第四节点分别与第一三极管和第二三极管的基极端电连接。根据第一电阻的阻值，第三节点与第一电阻的电流比为第一预设值。该基准源抑制运放部分的输入失调，且通过压降很小的第一电阻，实现运放部分与输出部分的电流之比为预设比例，为低电源电压情况下高PSR的带隙基准源，提供可行性方案。

本发明授权高电源电压抑制比的带隙基准源、集成电路和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种高电源电压抑制比的带隙基准源，其特征在于，包括运放部分、输出部分和电源端，所述电源端提供电源电压，所述运放部分包括第一级运放单元和第二级运放单元； 所述第一级运放单元中，第一场效应管和第二场效应管的控制端电连接，第一端与所述电源端电连接，第二端分别与第一节点和第二节点电连接，第二场效应管的控制端还与所述第一节点电连接；输入对管的第一三极管和第二三极管的发射极端分别与所述第一节点和所述第二节点电连接，集电极端与第一电阻电连接，基极端分别为所述运放部分的正、负输入端； 所述第二级运放单元与所述电源端电连接，还与所述第二节点电连接，实现所述第一节点和所述第二节点的电位相等； 所述输出部分中，第三三极管的发射极端与第三节点电连接，还与基极端电连接，集电极端接地；第四三极管的发射极端通过第二电阻与第四节点电连接，还与基极端电连接，集电极端接地；所述第三节点和所述第四节点分别与所述第一三极管和所述第二三极管的基极端电连接，且与所述电源端电连接； 根据所述第一电阻的阻值，所述第三节点与所述第一电阻的电流之比为第一预设值。

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