季华实验室毛朝斌获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121344758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511898350.9，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用是由毛朝斌设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用，碳化硅厚膜的外延生长方法包括以下步骤：以第一生长速率在衬底的第一面生长至第一厚度；进行第一原位退火；以第二生长速率继续生长至目标厚度；进行第二原位退火。本发明在目标碳化硅厚膜的外延生长中通过两次外延生长与两次原位退火的分步工艺序列与全程原位工艺设计，有效释放了碳化硅厚膜生长过程中累积的本征应力与热应力，从根本上抑制了翘曲问题，同时促进了位错等缺陷的湮灭与重组，显著提升了外延层的晶体质量。
本发明授权一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅厚膜的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：在第一温度的条件下通入第一反应源，以第一生长速率在衬底的第一面生长至第一厚度； 步骤S2：停止通入所述第一反应源，通入惰性气体，降温至第二温度的条件下进行第一原位退火； 步骤S3：升温至第一温度的条件下，停止通入所述惰性气体，再次通入所述第一反应源，以第二生长速率继续生长至目标厚度； 步骤S4：停止通入所述第一反应源，通入所述惰性气体，降温至第二温度的条件下进行第二原位退火； 所述第一反应源中CSi化学计量比为1.05-1.1；所述第一反应源中碳源为乙烯，硅源为三氯氢硅； 所述第一温度为1580℃-1650℃，所述第二温度为1500℃-1550℃； 所述第一生长速率为30μmh，所述第二生长速率为60μmh； 所述第一原位退火的时间为15min-30min，所述第二原位退火的时间为5min-10min； 所述第一厚度为40μm-50μm，所述目标厚度不低于100μm。
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