甬矽半导体(宁波)有限公司李利获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利堆叠封装结构和堆叠封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335605B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511894045.2，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权堆叠封装结构和堆叠封装结构的制备方法是由李利;何正鸿;李源成;曹修文设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠封装结构和堆叠封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种堆叠封装结构和堆叠封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该堆叠封装结构包括第一基板、封装芯片、第二基板、双层焊球和塑封层。双层焊球位于第二基板背面，双层焊球包括内核球和外焊层。相较于现有技术，本发明利用第一支撑围栏嵌入到外焊层中，大幅提升了外焊层与第一焊盘的结合强度，从而有效提升了焊接强度，降低由于基板翘曲带来的桥接或虚焊的风险。并且外焊层的锡量分布均匀，也不会溢出太多而导致桥接。同时，由于第一支撑围栏的支撑作用，能够使得内核球得以承托，有效减缓了焊球塌陷现象，进而保证了第一基板和第二基板之间的间隙满足塑封要求，增大了塑封空间，减缓了塑封空洞现象。
本发明授权堆叠封装结构和堆叠封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠封装结构，其特征在于，包括： 第一基板，正面设置有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘设置在所述第二焊盘的周围，且所述第一焊盘上还设置有第一支撑围栏； 封装芯片，贴装在所述第一基板上，并与所述第二焊盘电连接； 第二基板，位于所述封装芯片远离所述第一基板的一侧，且所述第二基板的背面设置有第三焊盘，所述第三焊盘与所述第一焊盘分别对应； 双层焊球，位于所述第二基板背面，所述双层焊球包括内核球和外焊层，所述外焊层包覆于所述内核球，并同时连接于所述第三焊盘和所述第一焊盘，且所述外焊层包覆于所述第一支撑围栏，所述内核球对应抵持于所述第一支撑围栏，以使所述内核球与所述第一焊盘相间隔； 塑封层，形成于所述第一基板和所述第二基板之间，并包覆于所述封装芯片和所述双层焊球。
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