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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121320907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511894891.4，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质是由赵海英;黄吉裕;张南设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及PECVD设备清洗技术领域，本发明公开了一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质，包括：基于膜层信息生成自由基调控参数和压力调控参数；基于自由基调控参数调整气体供应单元的气体配比及双远程等离子体源单元的等离子体源功率，以初始化腔体内部的自由基浓度分布；基于压力调控参数控制真空抽排单元对腔体进行分阶段抽真空，以初始化腔体内部压力场；控制双远程等离子体源单元对腔体内部进行原位清洗；待原位清洗完成后，通过检测单元获取腔体内部的清洗效果指标；若清洗效果指标显示清洗达标，则将腔体内部环境复位并生成清洗完成信号；本发明解决现有技术清洗不匹配、不彻底的问题，提升PECVD设备清洗质量。

本发明授权一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种PECVD设备清洗方法，其特征在于，应用于PECVD设备清洗系统，所述PECVD设备清洗系统包括：控制装置以及与所述控制装置电性连接的气体供应单元、双远程等离子体源单元、真空抽排单元和检测单元；所述PECVD设备清洗方法包括步骤： 获取待清洗PECVD腔体的膜层信息，并基于膜层信息生成自由基调控参数和压力调控参数；所述获取待清洗PECVD腔体的膜层信息，并基于膜层信息生成自由基调控参数和压力调控参数包括：获取待清洗PECVD腔体的腔体容积和膜层信息；所述膜层信息包括膜层类型及膜厚数据；基于膜厚数据计算清洗所需的自由基总量，以得到自由基调控参数；基于膜层类型和腔体容积生成压力调控参数； 所述基于膜厚数据计算清洗所需的自由基总量，以得到自由基调控参数包括：确定膜层完全反应所需的摩尔数；基于膜层覆盖的腔体内壁总表面积、膜层的密度、摩尔质量和膜厚数据计算得到膜层的总物质的量；基于膜层完全反应所需的摩尔数和膜层的总物质的量计算得到理论摩尔总量；基于理论摩尔总量和氟自由基利用率计算得到实际所需氟自由基总量；基于实际所需氟自由基总量推导得到自由基调控参数，所述自由基调控参数包括NF3气体与Ar气体的混合配比和双远程等离子体源功率； 基于自由基调控参数调整气体供应单元的气体配比及双远程等离子体源单元的等离子体源功率，以初始化腔体内部的自由基浓度分布； 基于压力调控参数控制真空抽排单元对腔体进行分阶段抽真空，以初始化腔体内部压力场； 待自由基浓度分布和压力场初始化完成后，控制双远程等离子体源单元对腔体内部进行原位清洗； 待原位清洗完成后，通过检测单元获取腔体内部的清洗效果指标； 若清洗效果指标显示清洗达标，则将腔体内部环境复位并生成清洗完成信号。

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