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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种上电极结构及等离子体加工设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121272383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511844121.9，技术领域涉及：C23C16/509；该发明授权一种上电极结构及等离子体加工设备是由吴国发;罗骞;刘自然设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种上电极结构及等离子体加工设备在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体设备领域，本申请提供一种上电极结构及等离子体加工设备，上电极结构包括上电极背板、喷淋板和匀场结构，上电极背板内部设有冷却通道，喷淋板与上电极背板相对设置，喷淋板上贯穿设置有多个喷气孔，匀场结构包括至少一个均匀板，均匀板设置于上电极背板与喷淋板之间，每个均匀板上设有多个沿板面间隔布置的凸起结构以及贯穿板体的匀气孔，相邻凸起结构之间形成微通道结构，匀气孔通过微通道结构和喷气孔连通，以通过凸起结构和微通道结构引导气体扩散、电场传导和热量传递，从而将温场控制与电场、气场的均匀化设置在上电极结构内完成，解决了高温工艺下上电极因热变形而破坏镀膜均匀性的问题，为提升薄膜沉积的质量提供条件。

本发明授权一种上电极结构及等离子体加工设备在权利要求书中公布了：1.一种上电极结构，其特征在于：包括： 上电极背板100，其内部设有冷却通道110； 喷淋板200，其与所述上电极背板100相对设置，所述喷淋板200上贯穿设置有多个喷气孔210； 匀场结构，其包括至少一个均匀板，所述均匀板设置于所述上电极背板100与喷淋板200之间，每个所述均匀板上设有多个沿板面间隔布置的凸起结构300以及贯穿板体的匀气孔301，相邻所述凸起结构300之间形成微通道，所述匀气孔301通过所述微通道和所述喷气孔210连通，以通过所述凸起结构300和所述微通道引导气体扩散、电场传导和热量传递； 所述均匀板包括第一均匀板310，所述第一均匀板310邻近所述喷淋板200设置，所述凸起结构300包括第一凸起部302，所述第一凸起部302设于所述第一均匀板310上且面向所述喷淋板200的一侧，相邻所述第一凸起部之间形成第一微通道311，所述第一微通道311包括沿所述第一均匀板310的长度方向往横向与斜向延伸且连通的第一横向通道和第一斜向通道； 所述均匀板还包括第二均匀板320，所述第二均匀板320设置于所述第一均匀板310与所述上电极背板100之间，所述凸起结构300包括第二凸起部303，所述第二凸起部303设于所述第二均匀板320的上下表面，相邻第二凸起部之间形成第二微通道321，所述第二微通道321包括沿所述第二均匀板320的长度方向上往横向、纵向和斜向延伸且连通的第二横向通道、第二纵向通道和第二斜向通道。

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