买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511794484.6，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片及制备方法是由于佳琪;钟冠伦;黄振设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种垂直去衬底p‑DBR红光LED芯片及制备方法，针对现有AlGaInP红光LED芯片GaAs衬底吸光、DBR绝缘致反射率与电流分布恶化、电极遮光及散热低效的缺陷采用垂直结构，通过MOCVD外延生长含p型DBR反射层的多层外延结构，经键合Si基CMOS驱动电路、湿法去除GaAs衬底、台面制备、钝化隔离及电极制备而成；芯片去除衬底吸光损耗，p‑DBR反射率＞95%且兼具高导电性，垂直结构消除电极遮光，Si基基板优化散热；本发明使光提取效率较传统正装芯片提升65%以上，电流密度偏差＜5%，热阻降至＜6KW，结构与Si基驱动兼容，工艺可行，适用于显示、照明等领域。

本发明授权一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片，其特征在于，包括外延结构、键合组件及电极结构； 所述外延结构自下而上依次为n型GaAs缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型限制层、InGaP量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层、p型DBR反射层、p型GaP欧姆接触层，其中====0.5，为0.1-0.4，为0.7-1，为0.6-0.9，为0.8-0.9，为0.5，为0.9-1，为0.1-0.3； 所述键合组件包括键合金属层和Si基CMOS驱动电路，所述外延结构通过键合金属层与Si基CMOS驱动电路键合，且所述n型GaAs缓冲层远离Si基CMOS驱动电路的一侧无GaAs衬底； 所述电极结构包括p型ITO透明导电层、n型ITO透明导电层及n型电极，所述p型ITO透明导电层设于p型GaP欧姆接触层远离p型DBR反射层的一侧，所述n型ITO透明导电层与n型GaAs欧姆接触层电连接，所述n型电极设于n型ITO透明导电层上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人微玖(苏州)光电科技有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区双溇里路3号合木·传奇大厦816室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。