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龙图腾网获悉深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司申请的专利一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121228197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511770963.4，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质是由吴家伟;顾亚骏;全峰设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质在说明书摘要公布了：本发明属于金刚石培育技术领域，公开了一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质，所述方法包括：确定目标MPCVD设备，并对所述目标MPCVD设备中的反应腔体进行腔体清洗处理和起辉处理，得到目标反应腔体；确定目标形核配方，并根据所述目标形核配方对所述目标反应腔体中放置的目标金刚石进行形核生长处理，得到初始金刚石；确定目标生长配方，并根据所述目标生长配方对所述初始金刚石进行生长培育处理，得到目标多晶金刚石薄膜。本发明通过设置目标形核配方对金刚石进行形核生长处理，并设置目标生长配方对所述初始金刚石进行生长培育处理，能够有效提高多晶金刚石薄膜的生长效率和生长质量稳定性。

本发明授权一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种多晶金刚石薄膜生成方法，其特征在于，所述多晶金刚石薄膜生成方法包括： 确定目标MPCVD设备，并对所述目标MPCVD设备中的反应腔体进行腔体清洗处理和起辉处理，得到目标反应腔体； 确定目标形核配方，并根据所述目标形核配方对所述目标反应腔体中放置的目标金刚石进行形核生长处理，得到初始金刚石； 所述确定目标形核配方，并根据所述目标形核配方对所述目标反应腔体中放置的目标金刚石进行形核生长处理，得到初始金刚石，之前还包括： 确定所述目标MPCVD设备中的预设散热装置，并对所述预设散热装置进行温度差设置，得到目标散热装置； 所述预设散热装置包括硅片、钼片、钼散热片、基片台以及钼锥台； 所述硅片位于所述预设散热装置的最上方，用于承载所述目标金刚石； 所述钼片位于所述硅片的下方，且与所述硅片相邻； 所述钼散热片位于所述钼片的下方，且与所述钼片相邻； 所述基片台位于所述预设散热装置的最下方，且与所述钼散热片相邻； 所述钼锥台分别与所述硅片和所述基片台相连接； 所述对所述预设散热装置进行温度差设置，得到目标散热装置，具体包括： 在所述钼锥台与所述基片台接触的位置设置散热环，减少所述钼锥台与所述基片台的接触，降低所述钼锥台的散热效率，使所述硅片上的所述目标金刚石的边缘温度升高至第一预设值； 将所述硅片和所述钼片进行悬空设置，使所述硅片上的所述目标金刚石的边缘温度由所述第一预设值升高至第二预设值； 获取所述硅片上的所述目标金刚石的中心温度，并计算所述第二预设值与所述中心温度之间的温度差； 当所述温度差达到预设温度差时，温度差设置完成，得到目标散热装置； 通过对预设散热装置进行改进，得到目标散热装置，将硅片以及硅片上金刚石的中心区域温度和边缘区域温度控制在预设范围内，以降低边缘区域翘曲度，保证多晶金刚石薄膜的正常生长； 确定目标生长配方，并根据所述目标生长配方对所述初始金刚石进行生长培育处理，得到目标多晶金刚石薄膜。

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