中国科学院国家天文台姜鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院国家天文台申请的专利一种嵌入式半导体制冷的低噪声放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121217052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511784157.2，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种嵌入式半导体制冷的低噪声放大器是由姜鹏;柴晓明;刘彬;甘恒谦;朱岩;郭明雷;曹洋设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种嵌入式半导体制冷的低噪声放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌入式半导体制冷的低噪声放大器，包括：外壳、电路板、半导体制冷器和热沉；外壳包括底座和盖体；电路板设置于底座上，电路板承载有包含第一级放大晶体管的放大电路；底座设置有容置槽；半导体制冷器容置于容置槽内，其热面与底座导热连接；热沉与半导体制冷器的冷面导热连接；热沉具有导热部，该导热部穿过电路板上的开孔并与第一级放大晶体管导热连接，以实现对晶体管的定向制冷。本发明仅对低噪声放大器的第一级晶体管制冷，所需冷量小，采用半导体制冷器就可以实现，具有结构简单、体积小、制冷代价低、免维护的特点。利用本发明的结构和制冷方法，能够将第一级晶体管的温度从室温降低到‑40℃。
本发明授权一种嵌入式半导体制冷的低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式半导体制冷的低噪声放大器，其特征在于，包括：外壳、电路板、半导体制冷器和热沉； 所述外壳包括底座和盖体； 所述电路板设置于所述底座上，所述电路板承载有包含第一级放大晶体管的放大电路； 所述底座设置有容置槽； 所述半导体制冷器容置于所述容置槽内，其热面与所述底座导热连接； 所述热沉与所述半导体制冷器的冷面导热连接； 所述热沉具有导热部，该导热部穿过所述电路板上的开孔并与所述第一级放大晶体管导热连接，以实现对所述第一级放大晶体管的定向制冷; 其中，容置槽为“凸”字形状，容置槽包括窄的部分和宽的部分，所述半导体制冷器容置于窄的部分内，窄的部分的宽度与所述半导体制冷器的宽度相匹配；宽的部分用于排布安装于外壳上的若干个穿心电容。
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