深圳市特安电子有限公司陈波获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市特安电子有限公司申请的专利一种光离子化检测器的电离室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121215505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511750874.3，技术领域涉及：H01J47/02；该发明授权一种光离子化检测器的电离室是由陈波设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光离子化检测器的电离室在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光离子化检测器的电离室，包括阴电极和阳电极，阴电极与阳电极重叠设置，在阳电极或阴电极的一侧设置紫外灯，阴电极与阳电极均设有相互连通的气流流道，紫外灯位于气流流道的内端，阴电极或阳电极的气流流道边缘设有高压结构。本发明在阴电极或阳电极的气流流道边缘设有高压结构，以保证对VOCs气体分子电离产物的高收集效率。因此无需额外施加更高的偏置电压以消除噪声影响，也无需额外设置复杂的硬件电路或湿度补偿算法，从而有利于控制光离子化检测器的制造成本和故障率，还有利于减少企业的开发、调试和维护成本。
本发明授权一种光离子化检测器的电离室在权利要求书中公布了：1.一种光离子化检测器的电离室，包括阴电极和阳电极；其特征在于，所述阴电极与阳电极重叠设置，在所述阳电极或阴电极的一侧设置紫外灯，所述阴电极与阳电极均设有相互连通的气流流道，所述紫外灯位于气流流道的内端，所述阴电极或阳电极的气流流道边缘设有高压结构； 所述高压结构包括多个导电尖端，所述导电尖端设置于气流流道的边缘并朝向气流流道的内部，由多个所述导电尖端形成的高压结构，可在低偏置电压下形成强电场。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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