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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121208577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511767224.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法是由陈聪;宋超悦;王家豪;白利兵;周权;田露露设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法在说明书摘要公布了：本发明属于IGBT键合引线故障检测技术领域，具体提供一种基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法，用以避免现有基于磁信号的键合引线剥离检测方法因传感器布置带来的侵入性和破坏性。本发明利用铁氧体线圈磁探头捕捉IGBT模块表面由关断过程中负载电流激发的瞬态磁场所感应的显著电压信号，基于该感应电压信号对键合引线剥离事件的响应特性进行解析，最终实现IGBT模块键合引线剥离检测，在无需电气直连的前提下完成非侵入式检测，在键合引线剥离的原位在线检测方面具有广泛的应用前景。

本发明授权基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法在权利要求书中公布了：1.基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、通过有限元法对待检测IGBT模块进行建模仿真，将待检测IGBT模块的几何模型中最靠近待检测键合引线的侧表面标注为待检测表面，仿真过程中模拟单根键合引线剥离，分别得到各个键合引线单独剥离状态下待检测表面的法向磁通密度的变化率，根据待检测表面的法向磁通密度的变化率划定矩形敏感检测区域，矩形敏感检测区域覆盖各个键合引线单独剥离状态下法向磁通密度的变化率大于预设敏感阈值的区域； S2、对待检测IGBT模块搭建双脉冲测试电路，并在测试过程中采用铁氧体线圈磁探头对待检测IGBT模块表面的矩形敏感检测区域进行场扫，得到矩形敏感检测区域的初始感应电动势分布； S3、保持S2中相同测试过程，将待检测IGBT模块各个键合引线分别剪断，测量得到单根键合引线剥离状态下矩形敏感检测区域的感应电动势分布，与初始感应电动势分布作差，计算得到各个键合引线单独剥离状态下矩形敏感检测区域的感应电动势变化率分布； S4、将各个键合引线单独剥离状态下矩形敏感检测区域的感应电动势变化率分布进行融合，针对每一个扫描点位，取感应电动势变化率的最小值作为键合引线剥离表征值，从而形成键合引线剥离表征分布； S5、将键合引线剥离表征分布中表征值按照从大到小的顺序进行排序，选取前N个表征值对应的扫描点位作为检测点位，并在所有检测点位中选择键合引线剥离表征值的最小值作为告警阈值； S6、在待检测IGBT模块的检测点位上固定设置铁氧体线圈磁探头，实时捕获待检测IGBT模块工作过程中的感应电动势，任意一个铁氧体线圈磁探头的感应电动势变化率超过告警阈值，则判定发生键合引线剥离。

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