上海芯源创新中心郭树强获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯源创新中心申请的专利电光调制器建模方法、系统、存储介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121186993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511745542.6，技术领域涉及：G02B27/00；该发明授权电光调制器建模方法、系统、存储介质及电子设备是由郭树强;郑伟;叶劲飞;杜佳乐;孙博;贺喜设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本电光调制器建模方法、系统、存储介质及电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种电光调制器建模方法、系统、存储介质及电子设备，电光调制器建模方法包含一种基于数理解析描述的马赫‑曾德尔电光调制器MZM建模方法，MZM基于MZI干涉结构实现，利用电光效应与双波导干涉实现电光调制。
本发明授权电光调制器建模方法、系统、存储介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种电光调制器建模方法，其特征在于， 所述电光调制器建模方法包含一种基于数理解析描述的马赫-曾德尔电光调制器建模方法，所述马赫-曾德尔电光调制器基于马赫-曾德尔干涉仪干涉结构实现，利用电光效应与双波导干涉实现电光调制； 所述马赫-曾德尔电光调制器的精准模型为： 其中为激光器功率，为功率与幅度之间的修正系数，为激光器角频率，为调制器插损，直流偏置电压，为调制器的直流半波电压，为调制器的射频信号电压，为调制器的半波电压,为虚数单位，为调制器角频率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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