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北京理工大学王本鹏获国家专利权

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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种TiZrNbTa系含能高熵合金的真空自耗电弧熔炼制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121183161B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511727960.2,技术领域涉及:C22C1/03;该发明授权一种TiZrNbTa系含能高熵合金的真空自耗电弧熔炼制备方法是由王本鹏;张健;王英华;马续奎设计研发完成,并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种TiZrNbTa系含能高熵合金的真空自耗电弧熔炼制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种TiZrNbTa系含能高熵合金的真空自耗电弧熔炼制备方法,属于合金技术领域。以ZrTa自耗锭合金条为电极芯部,将多根ZrTa自耗锭合金条放置在两个电极块中间,两个电极块按自电极芯部向外熔点由高到低的方式放置,焊接,得到一个呈放射状布料的自耗电极;先进行大电流‑短电弧‑强搅拌熔炼,然后进行小电流‑长电弧‑强搅拌熔炼,最后进行均匀化退火处理,制备得到成分均匀且无开裂倾向的百公斤级TiZrNbTa系含能高熵合金。

本发明授权一种TiZrNbTa系含能高熵合金的真空自耗电弧熔炼制备方法在权利要求书中公布了:1.一种TiZrNbTa系含能高熵合金的真空自耗电弧熔炼制备方法,其特征在于:方法步骤包括: 1按照TiZrNbTa系含能高熵合金中各元素配比配料,Ta以若干ZrTa自耗锭合金条的形式加入,Nb、剩余Zr、Ti和M元素分别以钛铌屑、海绵锆、海绵钛或钛板、M单质的形式加入; 2将除ZrTa自耗锭合金条外的原料自下而上按照熔点由低到高的顺序依次铺料,分别制备得到两个半圆柱结构的电极块; 3以ZrTa自耗锭合金条为电极芯部,将多根ZrTa自耗锭合金条放置在两个电极块中间,两个电极块按自电极芯部向外熔点由高到低的方式放置,焊接,得到一个呈放射状布料的自耗电极; 4根据百公斤级以上合金的质量要求,计算所需自耗电极数量,沿轴向对自耗电极进行焊接,得到两根长自耗电极; 5分别对两根长自耗电极进行大电流-短电弧-强搅拌熔炼,得到两个自耗大锭; 6将两个自耗大锭在炉内沿轴向焊接后,进行小电流-长电弧-强搅拌熔炼,得到铸锭; 7将铸锭装入热处理炉中进行均匀化退火处理; 其中,所述TiZrNbTa系含能高熵合金的原子表达式为TiaZrbNbcTadMx,M为Al、Cr、Hf、Fe和Co中的一种以上,20≤a≤50,5≤b≤45,5≤c≤35,1≤d≤25,0≤x≤15,a>c,且a+b+c+d+M=100; 步骤5中,分别将两根长自耗电极沿长度方向均分为四部分;底部第一部分熔炼时,电流为5.0~6.5KA,电压为36~40V,电弧长度为20~25mm,搅拌时间为30~60s;中间第二和第三部分熔炼时,电流为3.0~4.5KA,电压为30~35V,电弧长度为30~50mm,稳弧电流为3~5A,搅拌时间为30~60s;顶部第四部分熔炼时,电流为2.4~2.8KA,电压为30~35V,电弧长度为30~50mm,稳弧电流为3~5A,搅拌时间为30~60s;且自电极底部至顶部,电流逐渐减小,电弧长度逐渐增大;熔炼结束后,得到两个自耗大锭; 步骤6中,电压为25~30V,电弧长度为250~550mm,稳弧电流为3.0~5.0A;电流为0.5~2.5KA,且自电极底部至顶部,电流逐渐减小,熔炼结束后熄弧炉冷;熔炼长度≤34自耗大锭的部分,电流为2.0~2.5KA,搅拌时间为30~60s;剩余部分熔炼电流为0.5~1.5KA。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京理工大学,其通讯地址为:100081 北京市海淀区中关村南大街5号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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