微玖(苏州)光电科技有限公司于佳琪获国家专利权
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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种石墨烯集成电极LED外延结构及芯片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174739B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511663759.2，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种石墨烯集成电极LED外延结构及芯片制备方法是由于佳琪;钟冠伦;黄振设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨烯集成电极LED外延结构及芯片制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种石墨烯集成电极LED外延结构及芯片制备方法，其外延结构从下至上依次包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型限制层、非掺杂量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层和p型GaP欧姆接触层；制备方法包括外延结构生长、p型ITO透明导电层制备、键合与衬底去除、台面结构制备、钝化隔离、石墨烯互联层制备及n型电极制备全流程；本发明以石墨烯替代传统n型GaAs欧姆接触层与ITO电极，解决了传统结构红光吸收、散热差及机械脆性问题，使芯片红光透光率提升，3电流下结温大幅度降低，可承受＞20%拉伸应变，适配柔性场景，适用于红光MicroLED的高性能规模化生产。
本发明授权一种石墨烯集成电极LED外延结构及芯片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯集成电极LED外延结构，其特征在于，自下而上依次为7层构成LED芯片的核心载流子输运与发光基础的外延功能层，具体包括： GaAs衬底； 外延生长于所述GaAs衬底上的n型GaAs缓冲层； 外延生长于所述n型GaAs缓冲层上的n型限制层； 外延生长于所述n型限制层上的非掺杂InGaP量子阱结构； 外延生长于所述量子阱结构上的p型间隔层； 外延生长于所述p型间隔层上的p型电子阻挡层； 外延生长于所述p型电子阻挡层上的p型GaP欧姆接触层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人微玖(苏州)光电科技有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区双溇里路3号合木·传奇大厦816室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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