上海邦芯半导体科技有限公司王士京获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121171886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666068.8，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构是由王士京;梁洁;张名瑜;李俭;王晓雯;彭国发设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构，包括：在硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形；在第一温度下，使用第一气体作为沉积气体，在硅衬底和光刻胶图形上进行聚合物层沉积；在第二温度下，使用第二气体作为刻蚀气体，对聚合物层和硅衬底进行刻蚀；重复执行进行沉积和进行刻蚀的步骤，直至在硅衬底上形成高深宽比深硅结构；去除光刻胶图形；第一温度和第二温度小于‑40℃，第一气体为CH44、CHF33和H22，用于均匀沉积a‑C:H:F交联聚合物层，第二气体为F22和N22，用于提高底部刻蚀速率，并减小光刻胶图形损耗。本申请能实现在更小尺寸和更高深宽比下对侧壁的均匀保护，并可提升刻蚀速率。
本发明授权高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比深硅结构的图形化定义方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底； 在所述硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形； 在第一温度下，使用第一气体作为沉积气体，在所述硅衬底和所述光刻胶图形上进行聚合物层沉积，以在刻蚀时对所述硅衬底和所述光刻胶图形进行保护； 在第二温度下，使用第二气体作为刻蚀气体，对所述聚合物层和所述硅衬底进行刻蚀； 重复执行进行沉积和进行刻蚀的步骤，直至在所述硅衬底上形成高深宽比深硅结构； 去除所述光刻胶图形； 其中，所述第一温度和所述第二温度小于-40℃，所述第一气体为CH4、CHF3和H2，用于均匀沉积a-C:H:F交联聚合物层，所述第二气体为F2和N2，用于提高底部刻蚀速率，并减小所述光刻胶图形损耗。
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