成都津研科技有限公司;天府绛溪实验室刘录生获国家专利权
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龙图腾网获悉成都津研科技有限公司;天府绛溪实验室申请的专利一种离散量采集电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121150703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511686318.4,技术领域涉及:H03M1/12;该发明授权一种离散量采集电路是由刘录生;刘涛;唐维;李旺;晏启航设计研发完成,并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种离散量采集电路在说明书摘要公布了:本发明涉及电子电路技术领域,公开了一种离散量采集电路,包括:主控电路,用于接收上位机下发的门限设置控制指令,通过解析,生成门限设置值;隔离电路,用于接收门限设置值并将其传输给门限设置电路,同时提供隔离电源给门限设置电路、采集电路;门限设置电路,用于根据门限设置值,生成隔离高、低门限电源;采集电路,用于接收离散量输入信号以及隔离高、低门限电源,判定离散量输入信号的输入状态,生成离散量状态,并传输给主控电路,以实现离散量输入信号的电源、地、开路状态检测;本发明设计了一种宽动态、高阻抗、判断门限可设的离散量采集电路,实现了宽范围离散量输入信号的高保真采集,且满足不同场景下的判决门限灵活配置需求。
本发明授权一种离散量采集电路在权利要求书中公布了:1.一种离散量采集电路,其特征在于,包括: 主控电路,用于接收上位机下发的门限设置控制指令,通过指令解析,生成门限设置值,并将其传输给隔离电路; 隔离电路,用于接收主控电路传输的门限设置值,并提供隔离电源,将隔离电源传输给门限设置电路、采集电路,同时将门限设置值传输给门限设置电路; 门限设置电路,用于接收隔离电路发送的门限设置值,根据门限设置值,生成隔离高门限电源、隔离低门限电源; 采集电路,用于接收离散量输入信号、门限设置电路传输的隔离高、低门限电源,根据隔离高、低门限电源,判定离散量输入信号的输入状态,生成离散量状态,并传输给主控电路,以实现离散量输入信号的电源、地、开路状态检测; 所述采集电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一稳压二极管、第二稳压二极管、第三稳压二极管、第四稳压二极管、PMOS晶体管、NMOS晶体管、第一光耦合器、第二光耦合器; 第一电阻的一端为信号输入端,第一电阻的一端还与第二电阻的一端连接,第一电阻的另一端与第一稳压二极管的负极连接,第一稳压二极管的负极还与PMOS晶体管的栅极端连接,第一稳压二极管的正极与第二稳压二极管的正极连接,第二稳压二极管的负极与PMOS晶体管的源极端连接,且第二稳压二极管的负极为隔离高门限电源输入端,PMOS晶体管的源极端还与第一光耦合器的第一输入端连接,PMOS晶体管的漏极端与第三电阻的一端连接,第三电阻的另一端为隔离低门限电源输入端,PMOS晶体管的漏极端还与第一光耦合器的第二输入端连接,第一光耦合器的第一输出端与第五电阻的一端连接,且第五电阻的一端为第一离散量状态输出端,第一光耦合器的第二输出端接非隔离地,第五电阻的另一端为非隔离电源VCC的输入端; 第二电阻的另一端与第三稳压二极管的负极连接,第三稳压二极管的负极还与NMOS晶体管的栅极端连接,第三稳压二极管的正极与第四稳压二极管的正极连接,第四稳压二极管的负极与NMOS晶体管的源极端连接,且第四稳压二极管的负极为隔离低门限电源输入端,NMOS晶体管的源极端还与第二光耦合器的第二输入端连接,NMOS晶体管的漏极端与第四电阻的一端连接,第四电阻的另一端为隔离高门限电源输入端,NMOS晶体管的漏极端还与第二光耦合器的第一输入端连接,第二光耦合器的第一输出端与第六电阻的一端连接,且第六电阻的一端为第二离散量状态输出端,第二光耦合器的第二输出端接非隔离地,第六电阻的另一端为非隔离电源VCC的输入端。
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