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龙图腾网获悉西安天光半导体有限公司;西安交通大学申请的专利一种高增益跨导增强循环结构放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121150621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511676429.7，技术领域涉及：H03F3/16；该发明授权一种高增益跨导增强循环结构放大器是由高彦平;宁思浩;张国和设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高增益跨导增强循环结构放大器在说明书摘要公布了：本发明属于放大器技术领域，涉及循环结构放大器，具体涉及一种高增益跨导增强循环结构放大器。循环结构放大器包括PMOS管P1a、P1b、P2a、P2b、P5、P6、P7、P8、P9，以及NMOS管N1、N2、N3、N4、N5a、N5b、N6a、N6b、N7a、N7b、N8a、N8b；PMOS管P1b的漏极接NMOS管N5b的栅极；PMOS管P2b的漏极接NMOS管N6b的栅极；NMOS管N5b与PMOS管P1b、NMOS管N6b与PMOS管P2b形成交叉的正反馈路径，能够增强PMOS管P1b、P2b的跨导。本发明提供的高增益跨导增强循环结构放大器，循环结构放大器的跨导为常规折叠共源共栅运算放大器的五倍，压摆率为折叠共源共栅运算放大器的九倍。

本发明授权一种高增益跨导增强循环结构放大器在权利要求书中公布了：1.一种高增益跨导增强循环结构放大器，其特征在于：循环结构放大器包括PMOS管P1a、P1b、P2a和P2b； 所述PMOS管P1a、P1b的栅极与输入正端Vin+相连；PMOS管P2a、P2b的栅极与输入负端Vin-相连； 所述PMOS管P1a、P1b、P2a、P2b的源极相连，并与PMOS管P7的漏极相连；PMOS管P7的栅极接反馈节点VB1；PMOS管P7的源极接供电电源VDD和PMOS管P8、P9的源极；PMOS管P8、P9的栅极相连并接反馈节点Vcmfb；PMOS管P8、P9的漏极分别接PMOS管P5、P6的源极，PMOS管P5、P6的栅极相连并接反馈节点VB2；PMOS管P5、P6的漏极分别接输出正端Vout+和输出负端Vout-； 所述PMOS管P1a的漏极接NMOS管N1的漏极、N3的源极； 所述PMOS管P1b的漏极接NMOS管N8a、N8b的漏极，以及NMOS管N2、N5b、N6a的栅极； 所述PMOS管P2a的漏极接NMOS管N2的漏极、NMOS管N4的源极； 所述PMOS管P2b的漏极接NMOS管N1、N5a、N6b的栅极、NMOS管N7a、N7b的漏极； 所述NMOS管N3与N4的栅极相连、NMOS管N7a与N7b的栅极相连、NMOS管N8a与N8b的栅极相连，且均接反馈节点VB3； 所述NMOS管N5a、N5b、N6a、N6b的漏极分别与NMOS管N7a、N7b、N8a、N8b的源极相连； 所述NMOS管N1、N2、N5a、N5b、N6a和N6b的源极接地； 所述NMOS管N3与N4的漏极分别接输出正端Vout+和输出负端Vout-。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安天光半导体有限公司;西安交通大学，其通讯地址为：710100 陕西省西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园103厂房301室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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