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龙图腾网获悉浙江创豪半导体有限公司申请的专利超薄封装基板的导通孔制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121148999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511695298.7，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权超薄封装基板的导通孔制作方法是由唐华;卢海林;张婷;方勇;严传照;赵振设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本超薄封装基板的导通孔制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超薄封装基板的导通孔制作方法，涉及封装基板技术领域。包括步骤1：提供一超薄封装基板；步骤2：对超薄封装基板钻出钻孔靶标；步骤3：进行钻孔前棕化处理；步骤4：钻VOP盲孔；步骤5：对VOP盲孔除胶渣；步骤6：电镀填孔；所述步骤4中，对超薄封装基板进行镭射钻孔以钻出若干个VOP盲孔，每个VOP盲孔均将超薄封装基板的正面铜层和反面铜层导通，若干个VOP盲孔的开口端以错位方式分别开设在超薄封装基板的正面铜层和反面铜层上。基于此，本发明解决了现有技术中，对超薄封装基板的导通孔采用通孔方案时，会难以保障导通孔质量的问题。

本发明授权超薄封装基板的导通孔制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄封装基板的导通孔制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：提供一超薄封装基板；包括中间基材1和位于中间基材1正反两侧的正面铜层2和反面铜层3，其中中间基材1的厚度在30μm~40μm的超薄范围内； 步骤2：对超薄封装基板钻出钻孔靶标； 步骤3：进行钻孔前棕化处理； 步骤4：钻VOP盲孔； 步骤5：对VOP盲孔除胶渣； 步骤6：电镀填孔； 所述步骤4中，对超薄封装基板进行镭射钻孔以钻出若干个VOP盲孔，每个VOP盲孔均将超薄封装基板的正面铜层2和反面铜层3导通，若干个VOP盲孔的开口端以错位方式分别开设在超薄封装基板的正面铜层2和反面铜层3上； 所述步骤4包括如下子步骤： 步骤4-1：获取分面钻孔的布局方案； 步骤4-2：根据布局方案对超薄封装基板进行镭射钻孔； 所述步骤4-1中，布局方案包括若干个VOP盲孔的开口端的开设位置，即若干个开口端在正面铜层2和反面铜层3上的分布；所述步骤4-2中，根据布局方案分别对正面铜层2和反面铜层3进行镭射钻孔。

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