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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利对准结构、半导体结构以及半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121142928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511698385.8，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权对准结构、半导体结构以及半导体结构的制造方法是由韦鑫;杨兆旺设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本对准结构、半导体结构以及半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体制造领域，具体涉及一种对准结构、半导体结构以及半导体结构的制造方法，对准结构设置于基底上，对准结构包括多个沿第一方向间隔排布的第一部分和连接于相邻第一部分之间的第二部分，第一部分包括底层和位于底层上的图案层，图案层包括多个间隔设置的条形图案，多个条形图案沿第二方向阵列设置，第二部分相对于基底的高度小于底层相对于基底的高度，相邻第一部分之间间距大于第一部分中相邻条形图案之间间距。相邻第一部分之间间距大于第一部分中相邻条形图案之间间距，即相邻第一部分之间形成较大沟槽结构，这样设计，提高了形成的标记图案的对比度，降低了半导体制造过程中的套刻误差。

本发明授权对准结构、半导体结构以及半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种对准结构，设置于基底上，其特征在于，所述对准结构包括： 多个沿第一方向间隔排布的第一部分和连接于相邻所述第一部分之间的第二部分； 所述第一部分包括底层和位于所述底层上的图案层，所述图案层在所述基底上的正投影的外轮廓与所述底层在所述基底上的正投影重合，所述图案层包括多个间隔设置的条形图案，多个所述条形图案沿第二方向阵列设置，所述第二方向和所述第一方向之间夹角为90±5°； 所述第二部分相对于所述基底的高度小于所述底层相对于所述基底的高度，相邻所述第一部分之间间距大于所述第一部分中相邻所述条形图案之间间距； 所述对准结构还包括刻蚀停止层，所述刻蚀停止层位于所述底层和所述图案层之间且在所述图案层中至少两个相邻的所述条形图案与所述底层之间连续延伸，所述刻蚀停止层的材料与所述图案层以及所述第二部分的材料均不同，所述条形图案沿第三方向延伸，所述第三方向与所述第一方向相交，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向均平行于所述基底； 所述图案层中的多个所述条形图案中：相邻两个所述条形图案依次组成图案对，所述刻蚀停止层在所述图案对与所述底层之间连续延伸且在相邻所述图案对之间断开，相邻所述图案对之间的间隙延伸至所述底层中且所述间隙的底面相对于所述基底的高度大于所述第二部分相对于所述基底的高度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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